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第四百八十六章:芯片突破的希望(2 / 4)

而7纳米以上的工艺则不需要这些。

说起来,芯片的发展和设计制造,其实就像是一栋楼的楼梯。

从高层逐渐往下走,每下降一点就走下一个台阶,就意味着解决一个问题。

而到了28纳米、14纳米、7纳米、5纳米、3纳米、2纳米这些楼层,就意味着你到了对应楼层的转折处。

能支撑你往下继续走的,不仅仅是某一个问题的解决,而是某一系列,甚至更多的问题解决。

光源、材料、ed、设计等等各方面,全都要突破才能继续往下沉。

比如光源,不同的光波长不同,能够进行曝光尺度也不同,而在芯片领域,随着微电子制造工艺的不断进步,芯片晶体管的尺寸越来越小,对器件结构的要求越来越高,就需要更高分辨率和更精细的曝光图案。

稍微关注一点这块的人,目前市面上的光刻机大体上分为duv和euv。

duv是目前比较成熟的方案,现阶段最高采用193n波长的深紫外光源,被广泛应用在7n以及7n以前的工艺里。

而伴随着工艺的继续微缩,duv已经力不从心,就需要使用极紫外光光源的euv设备了。

所以徐川才对这位丁蔀长所说的7纳米这么惊讶。

因为按照他的了解,老实说这的确不是华国现在就做出来了的东西。

虽然丁经国说还有难题未突破,但能这么说,那就肯定只差最后一点点了。

徐川惊讶的是,国家这些年暗地里瞒着米国等西方国家搞了不少的动作啊。

不愧是兔子,狡兔三窟,犹有过之。

丁经国笑了笑,道:“说起来,这还得多感谢徐院士您。”

“我?”徐川好奇的看了他一眼。

丁经国点了点头,笑着道:“您可能不怎么关心这方面东西,但国家会永远铭记您对祖国的贡献。”

“在18年的时候,您带领团队完成了《核能β辐射能聚集转换电能机制项目》,利用这项技术,我们从别的国家手中交易到了一些原本处于禁售或者不出售的科技,以及设备。”

“在这些东西中,有一部分是和芯片的发展有关系的,它直接的促进了咱们国家芯片的发展,加快了速度。”

“而随着可控核聚变技术的解决,国家有了更充足的资金来投入其他领域,种种因素加起来,才有了今天的结果。”

“当然,这些东西目前都还是国家保密级别的信息,还请徐院士别传出去。毕竟一旦被其他国家知道我们在芯片方面有了突破,肯定又会有一些其他的麻烦。”

闻言,徐川恍然点了点头明白了过来。

难怪他的记忆和现在的情况出现了极大的偏差,因为蝴蝶效应的关系,连带着不仅仅是属于他研究的领域,也跟着一起突破了。

笑了笑,他开口道:“这是好事啊,要是能突破7纳米的进程,咱们就离解决芯片卡脖子更进一步了。”

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